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        紅外探測器材料技術的重要性

        [2020/4/3]

          紅外探測器材料技術是紅外技術發展的核心和基礎。幾年來,隨著固態技術的發展和半導體材料提純和生長工藝的進步,紅外探測器材料技術有了巨大的進展。

          這其中,多色、硅或鍺襯底碲鎘汞異質外延薄膜材料技術易于實現大尺寸、低成本,能提高探測器識別目標的能力,增加其抗干擾能力與帶寬,是第三代紅外探測器發展的關鍵材料之一,代表了紅外探測器材料技術發展的重要方向。

          量子阱紅外探測器材料近年來發展迅速,長波陣列的性能已于碲鎘汞陣列的性能相當。它具有獨特的結構特點,更易于實現大規格和多色探測能力,也是紅外探測器材料技術的一個重要發展方向。

          非制冷紅外探測器材料具有低成本、低功耗、高可靠性等優勢,能滿足第三代紅外探測器的高工作溫度要求,是為了小型低成本熱像儀的主流材料,未來的發展方向是繼續縮小像素尺寸,改善溫度靈敏度和空間分辨力,縮短響應時間和降低成本。

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